Infineon Technologies IRS2011SPBF
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IRS2011SPBF
1211-IRS2011SPBF
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
--最小包装量--
IRS2011SPBF详情
Infineon Technologies IRS2011SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.7V
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
625mW
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
电源电压
15V
基本部件号
IRS2011SPBF
输出的数量
2
输出电压
220V
最大输出电流
1A
电源
15V
电源电流
300μA
功率耗散
625mW
输出电流
1A
最大电源电流
300μA
传播延迟
80 ns
输入类型
Inverting
接通延迟时间
20 ns
输入失调电压(Vos)
200V
上升时间
40ns
下降时间(典型值)
35 ns
发布时间
60 ns
上升/下降时间(Typ)
25ns 15ns
接口IC类型
基于缓冲器或反相器的外设驱动器
信道型
Independent
闸门类型
N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
1A 1A
内置保护器
TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRS2011SPBF拓展信息
Infineon Technologies
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