Infineon Technologies ITD50N04S4L07ATMA1

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD

表面安装

YES

供应商器件包装

PG-TO252-5-311

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Infineon Technologies

Package

Bulk

Product Status

活跃

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

50A (Tc)

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

ITD50N04S4L07ATMA1

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.73

Drain Current-Max (ID)

50 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

46W (Tc)

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.2mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 18μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2480pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

33nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.0072 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

200 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

45 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门