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Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTMA1

Name: PTAB182002TCV2R250XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 1211-PTAB182002TCV2R250XTMA1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PTAB182002TCV2R250XTMA1

品牌

Infineon Technologies

utmel 编号

1211-PTAB182002TCV2R250XTMA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

H-49248H-4

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

起订量

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PTAB182002TCV2R250XTMA1 Infineon Technologies IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

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PTAB182002TCV2R250XTMA1详情

技术参数

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Infineon Technologies PTAB182002TCV2R250XTMA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

H-49248H-4
Operating Temperature (Max.)

200°C
Voltage Rated

65V
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2016
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
额定电流

10μA
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
频率

1.805GHz~1.88GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
工作电源电压

28V
测试电流

520mA
无卤素

无卤素
晶体管类型

LDMOS
增益

14.8dB
功率 - 输出

29W
RoHS状态

Non-RoHS Compliant
无铅

无铅

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