Infineon Technologies PTF180101S V1
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PTF180101S V1
1211-PTF180101S V1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
H32259-2
大陆
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FET RF 65V 1.99GHZ H-32259-2
1最小包装量--
PTF180101S V1详情
Infineon Technologies PTF180101S V1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
H32259-2
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Operating Temperature (Max.)
200°C
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
系列
GOLDMOS®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
额定电流
1μA
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
1.99GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-XDSO-G2
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
180mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
19dB
DS 击穿电压-最小值
65V
功率 - 输出
10W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
RoHS状态
符合RoHS标准
PTF180101S V1拓展信息
Infineon Technologies
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