Infineon Technologies PTFA091503ELV4R0XTMA1
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PTFA091503ELV4R0XTMA1
1211-PTFA091503ELV4R0XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
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RF MOSFET LDMOS 30V H-33288-6
1最小包装量--
PTFA091503ELV4R0XTMA1详情
Infineon Technologies PTFA091503ELV4R0XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Voltage Rated
65V
包装
Strip
已出版
2016
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
额定电流
10μA
端子位置
QUAD
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
920MHz~960MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-CQFM-X6
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
1.25A
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
17dB
DS 击穿电压-最小值
65V
功率 - 输出
150W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
30V
RoHS状态
符合RoHS标准
PTFA091503ELV4R0XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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