Infineon Technologies PTFA261301E V1

包装/外壳

2-Flatpack, Fin Leads

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

200°C

Voltage Rated

65V

包装

Tray

系列

GOLDMOS®

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

2

附加功能

HIGH RELIABILITY

额定电流

10μA

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

2.68GHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XDFM-F2

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

SOURCE

测试电流

1.4A

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS

增益

13.5dB

DS 击穿电压-最小值

65V

功率 - 输出

130W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

电压-测试

28V

RoHS状态

符合RoHS标准