Infineon Technologies PTFA261702E V1
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PTFA261702E V1
1211-PTFA261702E V1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
2-Flatpack, Fin Leads
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IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
1最小包装量--
PTFA261702E V1详情
Infineon Technologies PTFA261702E V1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
2-Flatpack, Fin Leads
Operating Temperature (Max.)
200°C
Voltage Rated
65V
包装
Tray
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
额定电流
10μA
Reach合规守则
compliant
频率
2.66GHz
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
测试电流
1.8A
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
15dB
功率 - 输出
170W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
643W
电压-测试
28V
RoHS状态
符合RoHS标准
PTFA261702E V1拓展信息
Infineon Technologies
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