Infineon Technologies PTFB082817FHV1XWSA1
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PTFB082817FHV1XWSA1
1211-PTFB082817FHV1XWSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
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Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 34288 Tray
1最小包装量--
PTFB082817FHV1XWSA1详情
Infineon Technologies PTFB082817FHV1XWSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
Voltage Rated
65V
包装
Tray
已出版
2010
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
QUAD
终端形式
UNSPECIFIED
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
821MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
JESD-30代码
R-CQFP-X2
工作电源电压
28V
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
测试电流
2.15A
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
无卤素
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
增益
19.3dB
DS 击穿电压-最小值
65V
功率 - 输出
60W
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
PTFB082817FHV1XWSA1拓展信息
Infineon Technologies
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