Infineon Technologies PTFB193408SVV1XWSA1

包装/外壳

H-34275G-6/2

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

200°C

Voltage Rated

65V

包装

Tray

已出版

2015

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子位置

QUAD

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

unknown

频率

1.99GHz

JESD-30代码

R-CQSO-X6

工作电源电压

30V

配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS

操作模式

增强型MOSFET

测试电流

2.65A

晶体管应用

AMPLIFIER

无卤素

无卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

LDMOS (Dual), Common Source

增益

19dB

DS 击穿电压-最小值

65V

功率 - 输出

80W

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅