Infineon Technologies PTFB211803ELV1R250XTMA1
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PTFB211803ELV1R250XTMA1
1211-PTFB211803ELV1R250XTMA1
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
H-33288-6
大陆
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Trans RF MOSFET N-CH 65V T/R
1最小包装量--
PTFB211803ELV1R250XTMA1详情
Infineon Technologies PTFB211803ELV1R250XTMA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
H-33288-6
Number of Elements
1
Voltage Rated
65V
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-40°C
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
频率
2.17GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
测试电流
1.3A
晶体管类型
LDMOS
增益
17.5dB
功率 - 输出
40W
电压-测试
30V
RoHS状态
符合RoHS标准
PTFB211803ELV1R250XTMA1拓展信息
Infineon Technologies
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