Infineon Technologies SPP04N80C3XK

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

63W Tc

Turn Off Delay Time

65 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

3

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

25 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.3 Ω @ 2.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 240μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

570pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

800V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

4A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

800V

雪崩能量等级（Eas）

170 mJ

RoHS状态

符合RoHS标准