Infineon Technologies AG BG 3123R E6327

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

6

质量

6.010099 mg

ECCN (US)

EAR99

Channel Mode

Depletion

Number of Elements per Chip

2

Maximum Drain Source Voltage (V)

8

Maximum Gate Source Voltage (V)

±6

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.025

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

1.5@5V@Gate 1@Amp B|1.9@5V@Gate 1@Amp A

Typical Forward Transconductance (S)

0.3

Maximum Power Dissipation (mW)

200

Typical Power Gain (dB)

32@Amp A|30@Amp B

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

AEC Qualified

有

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Standard Package Name

SOT-26

Supplier Package

SOT-363

Military

无

Mounting

表面贴装

Package Height

0.9(Max)

Package Length

2

Package Width

1.25

PCB changed

6

Lead Shape

Gull-wing

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

8 V

Number of Elements

2

Voltage, Rating

8 V

Moisture Sensitivity Levels

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BG3123R-E6327

Manufacturer

Infineon Technologies AG

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Risk Rank

5.84

包装

卷带

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

200 mW

Reach合规守则

unknown

额定电流

20 mA

频率

800 MHz

引脚数量

6

配置

Dual

元素配置

Dual

操作模式

DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE

测试电流

14 mA

漏源电压 (Vdss)

8 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

25 mA

栅极至源极电压(Vgs)

6 V

增益

25 dB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.02 A

输入电容

1.9 pF

信道型

N

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.2 W

噪声图

1.8 dB

测试电压

5 V

宽度

1.25 mm

高度

900 µm

长度

2 mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅