FF150R17KE4
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Infineon Technologies AG FF150R17KE4

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型号

FF150R17KE4

utmel 编号

1211-FF150R17KE4

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

62 mm

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 1100000mW 7-Pin 62MM-1 Tray

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FF150R17KE4
FF150R17KE4 Infineon Technologies AG Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 1100000mW 7-Pin 62MM-1 Tray

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FF150R17KE4详情

Infineon Technologies AG FF150R17KE4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    62 mm

  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    5

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • ECCN (US)

    EAR99

  • Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

    1700

  • Typical Collector Emitter Saturation Voltage (V)

    1.95

  • Maximum Gate Emitter Voltage (V)

    ±20

  • Maximum Power Dissipation (mW)

    1100000

  • Maximum Continuous Collector Current (A)

    150

  • Maximum Gate Emitter Leakage Current (uA)

    0.1

  • Minimum Operating Temperature (°C)

    -40

  • Maximum Operating Temperature (°C)

    150

  • Supplier Package

    62MM-1

  • Military

  • Mounting

    Screw

  • Package Height

    29

  • Package Length

    106.4

  • Package Width

    61.4

  • PCB changed

    7

  • Manufacturer Part Number

    FF150R17KE4

  • Manufacturer

    Infineon

  • Maximum Gate Emitter Voltage

    20 V

  • Pd - Power Dissipation

    1100 W

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.95 V

  • Unit Weight

    12 oz

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    10

  • Continuous Collector Current at 25 C

    250 A

  • Mounting Styles

    底座安装

  • Part # Aliases

    SP000713524 FF150R17KE4HOSA1

  • Brand

    Infineon Technologies

  • Tradename

    TRENCHSTOP

  • RoHS

    Details

  • Collector- Emitter Voltage VCEO Max

    1700 V

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    UNSPECIFIED

  • Turn-on Time-Nom (ton)

    355 ns

  • Turn-off Time-Nom (toff)

    930 ns

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    175 °C

  • Rohs Code

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    2

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    1.24

  • Part Package Code

    MODULE

  • 包装

    Tray

  • 系列

    Trenchstop IGBT4 - E4

  • 无铅代码

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Dual

  • 子类别

    IGBTs

  • 技术

    Si

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    7

  • JESD-30代码

    R-XUFM-X5

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    Dual

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 晶体管应用

    电源控制

  • 电路型态

    Half-Bridge

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 产品类别

    IGBT模块

  • 信道型

    N

  • 最大耗散功率(Abs)

    1100 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    250 A

  • 集电极-发射器电压-最大值

    1700 V

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20 V

  • VCEsat-最大值

    2.3 V

  • 产品

    IGBT硅模块

  • 产品类别

    IGBT模块

  • 高度(毫米)

    30.5 mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies AG FF150R17KE4.

FF150R17KE4拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

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