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IGT60R190D1S
IGT60R190D1S

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Infineon Technologies AG IGT60R190D1S

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型号

IGT60R190D1S

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-IGT60R190D1S

商品类别

晶体管 - JFET

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8 Tab) HSOF T/R

起订量

1最小包装量--

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IGT60R190D1S
IGT60R190D1S Infineon Technologies AG Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8 Tab) HSOF T/R

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IGT60R190D1S详情

技术参数

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Infineon Technologies AG IGT60R190D1S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 材料

    GaN

  • ECCN (US)

    EAR99

  • Maximum Drain Source Voltage (V)

    600

  • Maximum Gate Source Voltage (V)

    -10(Min)

  • Maximum Continuous Drain Current (mA)

    12500

  • Maximum Power Dissipation (mW)

    55500

  • Minimum Operating Temperature (°C)

    -55

  • Maximum Operating Temperature (°C)

    150

  • Supplier Package

    HSOF

  • Military

    无

  • Mounting

    表面贴装

  • Package Height

    2.3

  • Package Length

    9.9

  • Package Width

    10.38

  • PCB changed

    8

  • Tab

    Tab

  • Package Description

    ,

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Rohs Code

    有

  • Manufacturer Part Number

    IGT60R190D1S

  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Samacsys Description

    Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

  • Ihs Manufacturer

    INFINEON TECHNOLOGIES AG

  • Risk Rank

    2.28

  • 包装

    卷带

  • 零件状态

    活跃

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    9

  • 配置

    单个十六进制源

  • 信道型

    N

  • RoHS状态

    是,有豁免

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies AG IGT60R190D1S.

IGT60R190D1S拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

BSB056N10NN3GXUMA1/SAMPLE

型号：BSB056N10NN3GXUMA1/SAMPLE

封装：--

品牌：Infineon

库存：0

询价
ESD5V3L1B02LSE6327XTSA1

型号：ESD5V3L1B02LSE6327XTSA1

封装：--

品牌：Infineon

库存：0

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IGO60R070D1AUMA2

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封装：PG-DSO-20

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库存：0

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型号：IJW120R070T1FKSA1

封装：TO-247-3

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型号：IJW120R100T1FKSA1

封装：TO-247-3

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型号：BCP49E6419XT

封装：--

品牌：Infineon

库存：0

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