Infineon Technologies AG IMBF170R1K0M1
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IMBF170R1K0M1
1211-IMBF170R1K0M1
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
IMBF170R1K0M1详情
Infineon Technologies AG IMBF170R1K0M1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
7
晶体管元件材料
碳化硅
外壳材料
1
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
,
Date Of Intro
2020-04-27
Drain Current-Max (ID)
5.2 A
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSSO-G7
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.88 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
13.3 A
DS 击穿电压-最小值
1700 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
68 W
反馈上限-最大值 (Crss)
0.7 pF
饱和电流
1
IMBF170R1K0M1拓展信息
Infineon Technologies AG
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