Infineon Technologies AG IRF6644PBF
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IRF6644PBF
1211-IRF6644PBF
晶体管 - 特殊用途
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Power Field-Effect Transistor,
1最小包装量--
IRF6644PBF详情
Infineon Technologies AG IRF6644PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Drain Current-Max (ID)
57 A
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-40 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
JESD-609代码
e4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
SILVER NICKEL
附加功能
TR, 7 INCH:1000
端子位置
BOTTOM
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
JESD-30代码
R-XBCC-N3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.013 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
228 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
86 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
89 W
反馈上限-最大值 (Crss)
60 pF
IRF6644PBF拓展信息
Infineon Technologies AG
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