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Infineon Technologies AG IRF6665PBF

Name: IRF6665PBF
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-IRF6665PBF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

IRF6665PBF

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-IRF6665PBF

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2

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IRF6665PBF Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 100V, 0.062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, ISOMETRIC-2

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IRF6665PBF详情

技术参数

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Infineon Technologies AG IRF6665PBF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description

CHIP CARRIER, R-XBCC-N2
Drain Current-Max (ID)

4.2 A
Moisture Sensitivity Levels

3
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

UNSPECIFIED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

CHIP CARRIER
JESD-609代码

e4
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

SILVER NICKEL
附加功能

HIGH RELIABILITY
端子位置

BOTTOM
终端形式

无铅
峰值回流焊温度（摄氏度）

260
Reach合规守则

compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)

30
JESD-30代码

R-XBCC-N2
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.062 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

34 A
DS 击穿电压-最小值

100 V
雪崩能量等级（Eas）

11 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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