Infineon Technologies AG IRF6712SPBF

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG

Package Description

CHIP CARRIER, R-XBCC-N2

Drain Current-Max (ID)

17 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

CHIP CARRIER

JESD-609代码

e1

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XBCC-N2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0049 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130 A

DS 击穿电压-最小值

25 V

雪崩能量等级（Eas）

13 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

36 W