Infineon Technologies AG IRF7455TR
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IRF7455TR
1211-IRF7455TR
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA, SO-8
1最小包装量--
IRF7455TR详情
Infineon Technologies AG IRF7455TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
SO-8
Drain Current-Max (ID)
15 A
Moisture Sensitivity Levels
2
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
附加功能
雪崩 额定
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
MS-012AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0075 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
120 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
200 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRF7455TR拓展信息
Infineon Technologies AG
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