Infineon Technologies AG IRFL014N
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IRFL014N
1211-IRFL014N
晶体管 - 特殊用途
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 55V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
IRFL014N详情
Infineon Technologies AG IRFL014N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Drain Current-Max (ID)
1.9 A
Operating Temperature-Max
150 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Gross Weight
2.22
Transport Package Size/Quantity
42*28*18.5/2000
Operating Ambient Temperature
-25 +70 °C
Tested for One Minute
~ 500V
Enhanced Relative Importance at 35°C
95%
Force
1 - 30 N
Number of Mate/Unmate Cycles
500
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
绝缘电阻
100 MOhm Min
电压
~ 50V
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-261AA
漏极-源极导通最大电阻
0.16 Ω
DS 击穿电压-最小值
55 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
负载电流
0.3 A
饱和电流
1
IRFL014N拓展信息
Infineon Technologies AG
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