Infineon Technologies AG IRFR3504Z
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IRFR3504Z
1211-IRFR3504Z
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Description: Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
1最小包装量--
IRFR3504Z详情
Infineon Technologies AG IRFR3504Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
不推荐
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
DPAK-3
Drain Current-Max (ID)
42 A
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.009 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
310 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
77 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFR3504Z拓展信息
Infineon Technologies AG
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