Infineon Technologies AG IRFR3704Z
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IRFR3704Z
1211-IRFR3704Z
晶体管 - 特殊用途
--
大陆
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0084ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3
1最小包装量--
IRFR3704Z详情
Infineon Technologies AG IRFR3704Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
through hole
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Long-term Frequency Instability (Aging)
max. ± 5 ppm/ year
Gross Weight
0.59
Transport Package Size/Quantity
42*28*18.5/5000
Package
miniature - US size
Deviation
± 30 ppm temperature characteristic (-20…+70 °C)
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)
30 A
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
类型
HC49 Quartz Resonator
电阻
ESR max - 50 Ohm
电容量
16 pF
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
6 MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
频率稳定性
± 20 (at T=25 °C) ppm
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
绝缘电阻
500 (at Uappl.dc=100 V) MOhm min
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
工作温度范围
-20…+70 °C
JEDEC-95代码
TO-252AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0084 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240 A
DS 击穿电压-最小值
20 V
雪崩能量等级(Eas)
41 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
饱和电流
1
IRFR3704Z拓展信息
Infineon Technologies AG
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