Infineon Technologies AG PTF102015
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PTF102015
1211-PTF102015
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 20265, 2 PIN
1最小包装量--
PTF102015详情
Infineon Technologies AG PTF102015重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
哑光锡
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
S带
PTF102015拓展信息
Infineon Technologies AG
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