Infineon Technologies AG PTFA091201GL
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PTFA091201GL
1211-PTFA091201GL
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, 63248-2, 2 PIN
1最小包装量--
PTFA091201GL详情
Infineon Technologies AG PTFA091201GL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PDFM-F2
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
JESD-609代码
e4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
GOLD
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段
超高频段
PTFA091201GL拓展信息
Infineon Technologies AG
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