Infineon Technologies AG PTFA210601E
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PTFA210601E
1211-PTFA210601E
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, H-30265-2, 2 PIN
1最小包装量--
PTFA210601E详情
Infineon Technologies AG PTFA210601E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description
GREEN, H-30265-2, 2 PIN
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值
65 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
196 W
最高频段
S带
PTFA210601E拓展信息
Infineon Technologies AG
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