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Infineon Technologies AG PTFA211801F

Name: PTFA211801F
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-PTFA211801F
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

PTFA211801F

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-PTFA211801F

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 31260, 2 PIN

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PTFA211801F Infineon Technologies AG Description: RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, 31260, 2 PIN

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PTFA211801F详情

技术参数

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Infineon Technologies AG PTFA211801F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

Transferred
Ihs Manufacturer

INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description

31260, 2 PIN
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

200 °C
Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLATPACK
JESD-609代码

e3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

哑光锡
附加功能

HIGH RELIABILITY
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

compliant
引脚数量

2
JESD-30代码

R-CDFP-F2
资历状况

不合格
配置

SINGLE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

SOURCE
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
DS 击穿电压-最小值

65 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频段

S带

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PTFA211801F拓展信息

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