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Infineon Technologies AG PTFB091802FCV1XWSA1

Name: PTFB091802FCV1XWSA1
Brand: Infineon Technologies AG
SKU: 1211-PTFB091802FCV1XWSA1
Availability: InStock
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对比

型号

PTFB091802FCV1XWSA1

品牌

Infineon Technologies AG

utmel 编号

1211-PTFB091802FCV1XWSA1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans RF MOSFET 65V 5-Pin Case H-37248 Tray

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PTFB091802FCV1XWSA1 Infineon Technologies AG Trans RF MOSFET 65V 5-Pin Case H-37248 Tray

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PTFB091802FCV1XWSA1详情

技术参数

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Infineon Technologies AG PTFB091802FCV1XWSA1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
ECCN (US)

EAR99
Channel Mode

Enhancement
Number of Elements per Chip

2
Process Technology

LDMOS
Maximum Drain Source Voltage (V)

65
Maximum Gate Source Voltage (V)

10
Maximum VSWR

10
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

1000
Maximum IDSS (uA)

10
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

150(Typ)@10V
Output Power (W)

180
Typical Power Gain (dB)

19.5
Maximum Frequency (MHz)

960
Minimum Frequency (MHz)

920
Typical Drain Efficiency (%)

34
Minimum Operating Temperature (°C)

-40
Maximum Operating Temperature (°C)

200
Supplier Package

Case H-37248
Military

无
Mounting

表面贴装
Package Height

3.76
Package Length

20.57
Package Width

9.78
PCB changed

5
包装

Tray
零件状态

Obsolete
引脚数量

5
配置

双共源
操作方式

1-Carrier W-CDMA
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

PTFB091802FCV1XWSA1拓展信息

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