Infineon Technologies AG SPD30N03
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SPD30N03
1211-SPD30N03
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
SPD30N03详情
Infineon Technologies AG SPD30N03重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INFINEON TECHNOLOGIES AG
Drain Current-Max (ID)
30 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.015 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
120 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
250 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
120 W
SPD30N03拓展信息
Infineon Technologies AG
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