Integrated Device Technology IDT7024L35FB
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IDT7024L35FB
1179-IDT7024L35FB
连接器,连接线
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Dual-Port SRAM, 4KX16, 35ns, CMOS, PQFP84, QFP-84
1最小包装量--
IDT7024L35FB详情
Integrated Device Technology IDT7024L35FB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
84
Package Description
QFF, QFL84,1.2SQ
Package Style
FLATPACK
Number of Words Code
4000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
QFL84,1.2SQ
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT7024L35FB
Number of Words
4096 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QFF
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
1.43
Part Package Code
QFP
Usage Level
Military grade
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A001.A.2.C
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
84
JESD-30代码
S-PQFP-F84
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
MILITARY
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.34 mA
组织结构
4KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.556 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.004 A
记忆密度
65536 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
2 V
输出启用
YES
宽度
29.21 mm
长度
29.21 mm
IDT7024L35FB拓展信息
Integrated Device Technology (IDT)
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