IDT70V9359L7BFI
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Integrated Device Technology IDT70V9359L7BFI

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型号

IDT70V9359L7BFI

utmel 编号

1179-IDT70V9359L7BFI

商品类别

连接器,连接线

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Dual-Port SRAM, 8KX18, 18ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100

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IDT70V9359L7BFI Integrated Device Technology Dual-Port SRAM, 8KX18, 18ns, CMOS, PBGA100, FPBGA-100

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IDT70V9359L7BFI详情

Integrated Device Technology IDT70V9359L7BFI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    100

  • Package Description

    FPBGA-100

  • Package Style

    GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words Code

    8000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA100,10X10,32

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Access Time-Max

    18 ns

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IDT70V9359L7BFI

  • Number of Words

    8192 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • Package Code

    LFBGA

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    Integrated Device Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.9

  • Part Package Code

    BGA

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn63Pb37)

  • 附加功能

    FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 引脚数量

    100

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B100

  • 资历状况

    不合格

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.6 V

  • 电源

    3.3 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    3 V

  • 端口的数量

    2

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.33 mA

  • 组织结构

    8KX18

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.5 mm

  • 内存宽度

    18

  • 待机电流-最大值

    0.003 A

  • 记忆密度

    147456 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DUAL-PORT SRAM

  • 待机电压-最小值

    3 V

  • 宽度

    10 mm

  • 长度

    10 mm

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