Integrated Device Technology IDT71V3577S75BG
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IDT71V3577S75BG
1179-IDT71V3577S75BG
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Cache SRAM, 128KX36, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
--最小包装量--
IDT71V3577S75BG详情
Integrated Device Technology IDT71V3577S75BG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
119
Package Description
BGA, BGA119,7X17,50
Package Style
网格排列
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
128000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA119,7X17,50
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
7.5 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT71V3577S75BG
Clock Frequency-Max (fCLK)
117 MHz
Number of Words
131072 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
BGA
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.29
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
附加功能
FLOW-THROUGH ARCHITECTURE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
119
JESD-30代码
R-PBGA-B119
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
3.465 V
电源
3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3.135 V
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.255 mA
组织结构
128KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.36 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.03 A
记忆密度
4718592 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
缓存SRAM
待机电压-最小值
3.14 V
宽度
14 mm
长度
22 mm
IDT71V3577S75BG拓展信息
Integrated Device Technology (IDT)
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