Intelligent Memory Limited IM2G16D2DBBG-25
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IM2G16D2DBBG-25
2107-IM2G16D2DBBG-25
存储器
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DDR DRAM, 128MX16, CMOS, PBGA84, GREEN, FPBGA-84
1最小包装量--
IM2G16D2DBBG-25详情
Intelligent Memory Limited IM2G16D2DBBG-25重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
84
Supply Voltage-Nom (Vsup)
1.8 V
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Package Shape
RECTANGULAR
Package Code
TFBGA
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
85 °C
Number of Words Code
128000000
Number of Words
134217728 words
Package Description
TFBGA,
Ihs Manufacturer
I''M INTELLIGENT MEMORY LTD
Part Life Cycle Code
接触制造商
Rohs Code
有
ECCN 代码
EAR99
附加功能
PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.36
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PBGA-B84
电源电压-最大值(Vsup)
1.9 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
1.7 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
组织结构
128MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
记忆密度
2147483648 bit
内存IC类型
DDR DRAM
访问模式
多库页面突发
自我刷新
YES
宽度
10.5 mm
长度
12.5 mm
IM2G16D2DBBG-25拓展信息
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung Semiconductor







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