Intelligent Memory Limited IME5116SDBETG-75
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IME5116SDBETG-75
2107-IME5116SDBETG-75
存储器
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Description: Synchronous DRAM, 32MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54
1最小包装量--
IME5116SDBETG-75详情
Intelligent Memory Limited IME5116SDBETG-75重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
54
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Style
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
Package Shape
RECTANGULAR
Package Equivalence Code
TSOP54,.46,32
Package Code
TSOP2
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
70 °C
Number of Words Code
32000000
Number of Words
33554432 words
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Access Time-Max
5.4 ns
Package Description
TSOP2-54
Ihs Manufacturer
INTELLIGENT MEMORY LTD
Part Life Cycle Code
接触制造商
Rohs Code
有
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G54
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
3 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.17 mA
组织结构
32MX16
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
536870912 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
同步剧
刷新周期
4096
顺序突发长度
1,2,4,8,FP
交错突发长度
1,2,4,8
访问模式
四库页面突发
自我刷新
YES
宽度
10.16 mm
长度
22.22 mm
IME5116SDBETG-75拓展信息
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung
Samsung Semiconductor







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