IXYS FII30-06D

工厂交货时间

32 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.9V

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

300 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2004

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

100W

端子位置

SINGLE

引脚数量

5

配置

半桥

元素配置

Dual

功率耗散

100W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

50 ns

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

30A

最大集极截止电流

600μA

输入电容

1.1nF

接通时间

105 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

330 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

1.1nF @ 25V

VCEsat-最大值

2.4 V

高度

20.88mm

长度

19.91mm

宽度

5.03mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅