IXYS FII50-12E

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

已出版

2003

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

200W

端子位置

SINGLE

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSIP-T5

配置

半桥

元素配置

Dual

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

200W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

2.6V

最大集电极电流

50A

最大集极截止电流

400μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

2nF

接通时间

135 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.6V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

490 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

2nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准