MMIX4G20N250
MMIX4G20N250

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IXYS MMIX4G20N250

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型号

MMIX4G20N250

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-MMIX4G20N250

商品类别

晶体管 - IGBT - 阵列

封装

24-SMD Module, 9 Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD

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MMIX4G20N250
MMIX4G20N250 IXYS IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD

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MMIX4G20N250详情

IXYS MMIX4G20N250重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    28 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    24-SMD Module, 9 Leads

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    2.5kV

  • Number of Elements

    4

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    9

  • 最大功率耗散

    100W

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 引脚数量

    9

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G9

  • 配置

    半桥

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 功率 - 最大

    100W

  • 晶体管应用

    通用开关

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    3.1V

  • 最大集电极电流

    23A

  • 最大集极截止电流

    10μA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    2500V

  • 接通时间

    217 ns

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    3.1V @ 15V, 20A

  • 关断时间-标准值(toff)

    1066 ns

  • NTC热敏电阻

  • 栅极-发射极电压-最大值

    20V

  • 输入电容(Cies)@Vce

    1190pF @ 15V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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MMIX4G20N250拓展信息

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