IXYS MMIX4B20N300

工厂交货时间

28 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

24-SMD Module, 9 Leads

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

3kV

Number of Elements

4

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

BIMOSFET™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

9

最大功率耗散

150W

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G9

配置

全桥

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

150W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

3.2V

最大集电极电流

34A

电压 - 集射极击穿（最大值）

3000V

接通时间

608 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

695 ns

NTC热敏电阻

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant