IXA30PG1200DHGLB-TRR详情
IXYS IXA30PG1200DHGLB-TRR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
包装/外壳
SMD/SMT
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.2kV
Number of Elements
2
Operating Temperature (Max.)
150°C
Power Dissipation (Max)
150W
终止次数
9
端子表面处理
Nickel (39) Tin (984)
附加功能
HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
9
JESD-30代码
R-PDSO-G9
配置
SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
电源控制
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
2.2V
最大集电极电流
43A
接通时间
110 ns
关断时间-标准值(toff)
350 ns
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20V
RoHS状态
符合RoHS标准
IXA30PG1200DHGLB-TRR拓展信息
IXYS
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