IXYS FMD40-06KC

工厂交货时间

32 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

i4-Pac™-5

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

38A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

110 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.9V @ 2.7mA

系列

HiPerFET™

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2008

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

HIGH RELIABILITY

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

280W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 20A, 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

250nC @ 10V

上升时间

30ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

38A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.07Ohm

漏源击穿电压

600V

场效应管特性

超级交界处

RoHS状态

ROHS3 Compliant