IXYS FMP76-01T

工厂交货时间

28 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUSi5-Pak™

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

54A Tc 62A Tc

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

零件状态

活跃

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

端子位置

SINGLE

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSIP-T5

资历状况

不合格

配置

COMPLEX

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

89W 132W

场效应管类型

N and P-Channel, Common Drain

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 38A, 10V, 11m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA, 4.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1370pF @ 25V 5080pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

197nC @ 10V, 104nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

62A

漏极-源极导通最大电阻

0.011Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300A

DS 击穿电压-最小值

100V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard