IXYS GWM70-01P2

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

ISOPLUS-DIL™

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

6

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

17

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-F17

资历状况

不合格

配置

BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14m Ω @ 35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

110nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

连续放电电流(ID)

70A

漏极-源极导通最大电阻

0.014Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

符合RoHS标准