ON Semiconductor NGTB30N135IHR1WG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)

工厂交货时间

5 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.35kV

Test Conditions

600V, 30A, 10 Ω, 15V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2015

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

394W

输入类型

Standard

功率 - 最大

394W

集电极发射器电压(VCEO)

3V

最大集电极电流

60A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1350V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 30A

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

220nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

-/200ns

开关能量

630μA (off)

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅