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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥290.958681
10
¥274.489322
100
¥258.952191
500
¥244.294521
1000
¥230.466527
IXFN170N30P详情
IXYS IXFN170N30P重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
30 Weeks
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
SOT-227-4, miniBLOC
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
138A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
890W Tc
Turn Off Delay Time
79 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
Polar™
已出版
2008
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel (Ni)
附加功能
雪崩 额定
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
890W
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 85A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
20000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
258nC @ 10V
上升时间
29ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
16 ns
连续放电电流(ID)
138A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
300V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
500A
雪崩能量等级(Eas)
5000 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IXFN170N30P拓展信息
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS
IXYS









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