IXYS IXFN210N20P

工厂交货时间

30 Weeks

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

安装类型

底座安装

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

188A Tc

Power Dissipation (Max)

1070W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

已出版

2010

系列

HiPerFET™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

10.5MOhm

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.07kW

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10.5m Ω @ 105A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

18600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

255nC @ 10V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

188A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

600A

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅