IXYS IXFN44N80Q3

工厂交货时间

30 Weeks

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

底架

Chassis Mount, Panel

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

780W Tc

Turn Off Delay Time

63 ns

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

37A Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

780W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

45 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

190m Ω @ 22A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

6.5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9840pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

185nC @ 10V

上升时间

300ns

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

37A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.19Ohm

漏源击穿电压

800V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130A

雪崩能量等级（Eas）

3500 mJ

宽度

25.07mm

长度

38.23mm

高度

9.6mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant