IXYS IXFN62N80Q3

工厂交货时间

30 Weeks

底架

Chassis Mount, Panel

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

49A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

960W Tc

Turn Off Delay Time

62 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

6.5V @ 8mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HiPerFET™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

电阻

140MOhm

附加功能

UL 认证

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

960W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

54 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

140m Ω @ 31A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13600pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

270nC @ 10V

上升时间

300ns

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

49A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

800V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180A

雪崩能量等级（Eas）

5000 mJ

高度

9.6mm

长度

38.23mm

宽度

25.07mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅