IXFN64N50PD3
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IXYS IXFN64N50PD3

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型号

IXFN64N50PD3

品牌

IXYS

utmel 编号

1274-IXFN64N50PD3

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-227-4, miniBLOC

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B

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IXFN64N50PD3
IXFN64N50PD3 IXYS MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B

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IXFN64N50PD3详情

IXYS IXFN64N50PD3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    SOT-227-4, miniBLOC

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    50A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    625W Tc

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    PolarHV™

  • 已出版

    2009

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • 端子表面处理

    Nickel (Ni)

  • 附加功能

    AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    4

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    85m Ω @ 32A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 8mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    11000pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    186nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    500V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 连续放电电流(ID)

    52A

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    50A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.085Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    200A

  • DS 击穿电压-最小值

    500V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    2500 mJ

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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右边的3个型号有着和IXYS & IXFN64N50PD3相似的参数规格。

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IXFN64N50PD3拓展信息

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