IXYS IXFN70N60Q2

工厂交货时间

10 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SOT-227-4, miniBLOC

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

890W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2003

系列

HiPerFET™

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Nickel (Ni)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

890W

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

80m Ω @ 35A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 8mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7200pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

265nC @ 10V

上升时间

25ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

12 ns

连续放电电流(ID)

70A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.08Ohm

漏源击穿电压

600V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

280A

雪崩能量等级（Eas）

5000 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅