IXYS IXGK75N250

工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-264-3, TO-264AA

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

2.5kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2010

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最大功率耗散

780W

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

功率耗散

780W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

2.5kV

最大集电极电流

170A

电压 - 集射极击穿（最大值）

2500V

输入电容

9nF

接通时间

305 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.6V @ 15V, 150A

关断时间-标准值（toff)

420 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

410nC

集极脉冲电流（Icm）

530A

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant