IXYS IXGL200N60B3

工厂交货时间

26 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

ISOPLUS264™

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

300V, 100A, 1 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

GenX3™

已出版

2008

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

最大功率耗散

400W

端子位置

SINGLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IXG*200N60

JESD-30代码

R-PSIP-T5

资历状况

不合格

配置

SINGLE

箱体转运

ISOLATED

输入类型

Standard

功率 - 最大

400W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.5V

最大集电极电流

150A

接通时间

122 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.5V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

730 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

750nC

集极脉冲电流（Icm）

600A

Td（开/关）@25°C

44ns/310ns

开关能量

1.6mJ (on), 2.9mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

5V

最大下降时间 (tf)

300ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant